汽车欠压、过压及电源反向保护电路

电子龙8国际下载 2018-06-13 09:30 次阅读
假如有人将 24V 电源连接到您的 12V 电路上,将发生什么? 倘若电源线和接地线因疏忽而反接,电路还能安然无恙吗? 您的应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中? 即使以上类事件的发生概率很低,但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。 为了隔离负电源电压,我们惯常的做法是布设一个与电源相串联的功率二极管或 P 沟道 MOSFET。然而—— ● 二极管既占用宝贵的板级空间,又会在高负载电流下消耗大量的功率; ● P 沟道 MOSFET 的功耗虽然低于串联二极管,但 MOSFET 以及所需的驱动电路将导致成本增加。 这两种解决方案均牺牲了低电源操作性能,尤其是串联二极管。而且,两种方法都没有提供针对过高电压的保护——这种保护需要更多的电路,包括一个高电压窗口比较器和充电泵。 欠压、过压和电源反向保护 LTC4365 是一款独特的解决方案,可精巧和稳健地保护敏感电路免遭意料之外的高电源电压或负电源电压。LTC4365 能隔离高达 60V 的正电压和低至 –40V 的负电压。只有处于安全工作电源范围之内的电压被传送至负载。仅需的外部有源组件是一个连接在不可预知的电源与敏感负载之间的双路 N 沟道 MOSFET。 图 1 示出了一款完整的应用电路。一个阻性分压器负责设定用于负载与 VIN 连接 / 断接的过压(OV)和欠压 (UV) 跳变点。如果输入电源漂移至该电压窗口之外,则 LTC4365 将迅速把负载与电源断接。 “图图 1:完整的 12V 汽车欠压、过压及电源反向保护电路 双路 N 沟道 MOSFET 负责在 VIN上隔离正电压和负电压。在标准运作期间,LTC4365 为外部 MOSFET 的 栅极提供了增强的 8.4V。LTC4365 的有效工作范围从低至 2.5V 到高达 34V —— OV和UV窗口可介于此范围之内。对于大多数应用来说,无需在  VIN  上设置保护性箝位电路,从而进一步简化电路板龙8国际下载。 准确和快速的过压及欠压保护 LTC4365 中两个准确 (±1.5%) 的比较器用于监视  VIN 上的过压 (OV) 和欠压 (UV) 状况。如果输入电压分别升至 OV 门限以上或降至 UV 门限以下,则外部 MOSFET 的栅极将快速关断。外部阻性分压器允许用户选择一个与 VOUT 上的负载相兼容的输入电源范围。此外,UV 和 OV 输入还具有非常低的漏电流 (在 100°C 时通常 <1nA),因而可在外部阻性分压器中提供大的电流值。 图 2 示出了图 1 电路中的  VIN  从 –30V 缓慢斜坡上升 至 30V 时做出的反应。UV 和 OV 门限被分别设定为 3.5V 和 18V。当电源电压位于 3.5V 至 18V 窗口之内 时, VOUT  跟随  VIN 。若超出该窗口时,LTC4365 将 关断 N 沟道 MOSFET,并使 VOUT  与  VIN  断接,即使 在 VIN 为负值的情况下也不例外。 “图图 2:当  VIN  从 –30V上升至 30V 时的负载保护 新颖的电源反向保护 LTC4365 运用了一种新颖的负电源保护电路。当 LTC4365 在  VIN  上检测到负电压,它迅速将 GATE 引 脚连接至  VIN。在 GATE 与  VIN  电压之间没有二极管压降。当外部 N 沟道 MOSFET 的栅极处于最负电位 ( VIN )时,从 VOUT 至  VIN 上负电压的漏电流极小。 图 3 示出了当  VIN  带电插入至 –20V 时出现的状况。 在连接的前一刻, VIN 、VOUT  和 GATE 以地电位为起始点。由于  VIN  和 GATE 连接线的寄生电感之原 因, VIN  和 GATE 引脚上的电压将显著地变至 –20V以下。外部 MOSFET 必须具有一个可安全承受该过冲的击穿电压指标。 “图图 3:从  VIN 至 –20V 的热插拔保护 显然,LTC4365 反向保护电路的动作速度取决于 GATE 引脚在负电压瞬变期间跟随  VIN 的紧密程度。在所示的标度上,两者的波形几乎无法区分。请注意,提供反向保护并不需要其他外部电路。 还有更多功能!AC 隔离、VOUT  通电时的反向 VIN  热插拔 (Hot Swap™) 控制 在出现 OV 或 UV 故障之后 (或当  VIN  变至负值时), 输入电源必须返回有效的工作电压窗口并持续至少 36ms 以重新接通外部 MOSFET。这将有效地隔离 50Hz和60Hz的未整流AC 电源。 另外,LTC4365 还针对负 VIN 连接提供了保护作用, 即使在 VOUT  由一个单独的电源驱动时也是如此。只要不超过外部 MOSFET 的击穿电压 (60V),那么  VIN 上的极性反接就不会对 VOUT 上的20V电源造成影响。 结论 通过采用背对背 MOSFET (而并未使用二极管), LTC4365 控制器为敏感电路提供了过压、欠压和电源反接的保护作用。电源电压只有在合格通过可由用户调节的 UV 和 OV 跳变门限时才能传送至输出端。任何超出该窗口的电压都被隔离,保护范围可高达 60V和低至–40V。 LTC4365 的新颖架构造就了一款外部组件极少的坚 固型小尺寸解决方案,并可提供纤巧型 8 引脚 3mm x 2mm DFN 和 TSOT-23 封装。LTC4365 具有一个 2.5V 至34V的宽工作范围,停机期间仅消耗 10µA。
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TATUMU
找了好久的电路保护,谢谢楼主
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UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...
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UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的龙8国际下载,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离龙8国际下载) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
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UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...
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UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...
发表于 10-16 11:19 8次 阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件龙8娱乐城官网,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...
发表于 10-16 11:19 2次 阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的龙8国际下载,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离龙8国际下载) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
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UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的龙8国际下载,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离龙8国际下载) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
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UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...
发表于 10-16 11:19 4次 阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

通过软件龙8国际下载0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

近年来全球范围内出现了新一轮的太空探索热潮,世界各主要航天大国相继出台了一系列雄心勃勃的航天发展规划....
的头像 电子龙8国际下载 发表于 10-12 09:08 469次 阅读
通过软件龙8国际下载0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验

IGBT的替换、保存及使用注意事项说明

由于IGBT管工作在大电流 高电压状态,工作频率较高,发热量大,因此其故障率较高,又由于其价格较高,....
的头像 电子龙8国际下载 发表于 10-12 08:17 123次 阅读
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RF功率MOSFET的性能和结构特征及其应用

RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MO....
的头像 电子龙8国际下载 发表于 10-11 08:33 210次 阅读
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低噪声放大器(LNA)的介绍和详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是1.LNA的功能和性能指标 2.MOSFET的噪声模型 3.MOSF....
发表于 10-11 08:00 59次 阅读
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MAX17633同步降压DC-DC转换器的功能特点介绍

This video provides an introduction to the MAX1763....
的头像 Maxim视频 发表于 10-11 03:49 142次 观看
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MAX17761同步降压型DC-DC转换器的功能特点与应用

本视频简要介绍MAX17761,器件为4.5V–76V、1A、高效、同步降压型DC-DC转换器,带有....
的头像 Maxim视频 发表于 10-11 03:11 173次 观看
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Trinamic大功率步进电机的完美电流控制

TRINAMIC发布了全新的高性能步进电机驱动器TMC2160。该多功能芯片结合强大的外部MOSFE....
的头像 章鹰 发表于 10-10 14:23 830次 阅读
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英飞凌的OpTimoSTM功率MOSFET数据表的详细解读方法资料免费下载

数据表是电子工程师理解功率MOSFET器件并充分理解其预期功能的最重要的工具。由于数据表提供的信息量....
发表于 10-09 08:00 53次 阅读
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高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET ....
发表于 10-08 08:00 90次 阅读
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采用SiC材料元器件的特性结构介绍

SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍....
的头像 电子龙8国际下载 发表于 09-29 09:08 334次 阅读
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电子鼻系统中的关键传感器解析

电子鼻是利用气体传感器阵列的响应图案来识别气味的电子系统,它可以在几小时、几天甚至数月的时间内连续地....
发表于 09-29 08:58 78次 阅读
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有刷直流电机工作过程及应用

在有刷电机中,磁极方向的跳转是通过移动固定位置的接触点来完成的,该接触点在电机转子上与电触点相对连接....
的头像 电子龙8国际下载 发表于 09-28 08:35 341次 阅读
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米勒效应会对MOSFET管造成怎样的影响

米勒效应在MOS驱动中臭名昭著,他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应,在MOS管开通过程中,GS电....
的头像 电子龙8国际下载 发表于 09-28 08:02 677次 阅读
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MP2359单片降压开关模式转换器内置的功率MOSFET详细数据手册

该MP2359是一个单片降压开关模式转换器内置的功率MOSFET。它在宽的输入电源范围内达到1.2A....
发表于 09-28 08:00 48次 阅读
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Littelfuse公司推出首款1700V SiC器件

Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上....
的头像 宽禁带半导体龙8娱乐城官网创新联盟 发表于 09-26 11:32 626次 阅读
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深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择

MOSFET是电子系统中的重要部件,需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中,....
的头像 周立功单片机 发表于 09-26 10:16 737次 阅读
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浅析MOS替换方法及流程之零点tempoc

根据MOSFET传输特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的热稳定性不如NXP MOS....
的头像 汽车电子硬件龙8国际下载 发表于 09-25 16:43 380次 阅读
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一种long8龙8国际pt的碳化硅MOSFET驱动核

近年来,以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料....
的头像 宽禁带半导体龙8娱乐城官网创新联盟 发表于 09-24 09:13 300次 阅读
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积分器使用功率Mosfet的预防措施

在积分器(R2、C2和Q1)中使用功率Mosfet,如果不采取一些预防措施,可能会导致故障或«神秘»....
的头像 汽车电子硬件龙8国际下载 发表于 09-23 11:24 314次 阅读
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MOS替换方法及流程之SOA的安全操作区域

在汽车环境中,它们必须能够以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性级别,就有必要定义这....
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MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算,栅电压(V)GATE_max) 总是小于V....
的头像 汽车电子硬件龙8国际下载 发表于 09-23 11:17 409次 阅读
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CW1053-5串锂电池组保护芯片的应用指南详细资料免费下载

CW1053 系列芯片内置高精度的电压检测电路、电流检测电路、温度检测电路以及延时电路,适用于 5 ....
发表于 09-19 08:00 104次 阅读
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深入探讨功率MOSFET变化对电流和电压回路行为的影响

讨论功率MOSFET变化对两个回路(电流和电压)行为的影响。由于MOSFET只影响功率单元,所以理论....
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MOSFET的结构和重点参数介绍及应用前景如何?

最近,国内对MOSFET的需求大涨,导致业内缺货,很多厂商有钱买不到货,这是MOSFET厂商最愿意看....
的头像 半导体观察IC 发表于 09-15 11:46 589次 阅读
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东芝推出新一代超结功率MOSFET,进一步提高电源效率

东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET,新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的....
的头像 东芝半导体与存储产品 发表于 09-13 15:54 1565次 阅读
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浅析IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动龙8娱乐城官网

由于不间断电源的兴起,IGBT龙8娱乐城官网得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应,因此在关断的瞬间对....
的头像 MCU开发加油站 发表于 09-13 15:41 470次 阅读
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三菱电机开发了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模块

6.5kV新型全SiC MOSFET功率模块内部采用半桥拓扑,一般的大功率应用可以采用并联连接来提高....
的头像 三菱电机半导体 发表于 09-13 15:04 492次 阅读
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浅析MOSFET和电动汽车的12V配电架构

总的背景,是在整个long8龙8国际pt化配电单元上,继电器被MOSFET所取代。12V的配电架构,特别是电动汽车,由....
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开关电源损耗知识点之开关电源产品各个部分的损耗计算

学电源电源看这里,这次我们分享一下开关电源功率损耗及热耗的工程估算! 电源在为负载提供能量的同时也在....
的头像 电源研发精英圈 发表于 09-06 11:23 526次 阅读
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MOSFET,IGBT的工作原理是什么?《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》免费下载

本书在简析电力MOSFET和IGBT的基本工作原理、内部结构、主要参数及其对驱动电路的要求的基础上,....
发表于 09-05 08:00 291次 阅读
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怎么用自供电运放建立一个低泄漏整流器

用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二....
的头像 电子龙8国际下载 发表于 09-04 09:22 946次 阅读
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2017至2022年预计:CMOS图像传感器销售量将以11.7%以上的速度增长

随着高端双摄long8龙8国际pt手机的陆续推出,不仅相机摄像头需要CIS,像是虹膜识别模块、3D人脸识别模块都会用到....
发表于 09-03 16:42 294次 阅读
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飞兆开发出二极管的器件FDZ3N513ZT,专为long8龙8国际pt电话的显示屏提供照明

飞兆半导体 (NYSE: FCS) 开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513....
发表于 08-31 11:29 107次 阅读
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电源中的MOSFET性能的四项关键测试

了解 4 个常用 MOSFET 测试的基本原理:漏电波形系列、门限电压、门电路漏电和跨导。
发表于 08-31 10:49 149次 阅读
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栅极驱动器是什么?如何定义其基本参数?

MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的....
的头像 电机控制龙8国际下载加油站 发表于 08-31 08:54 1135次 阅读
栅极驱动器是什么?如何定义其基本参数?

Nexperia功率MOS场效应晶体管的详细应用手册资料免费下载

鉴于20多年的经验,功率MOSFET应用手册汇集了一套关于功率MOSFET实际应用的学习和参考资料。....
发表于 08-31 08:00 89次 阅读
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浅析开关电源MOS的损耗计算与选型原则

在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环....
的头像 电源研发精英圈 发表于 08-29 08:40 747次 阅读
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ADP3110A单相12V MOSFET栅极驱动器的详细中文数据手册免费下载

ADP3110A是一个单相12V MOSFET栅极驱动器,它被优化成在同步降压转换器中同时驱动高_侧....
发表于 08-27 10:44 275次 阅读
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M51995A一级开关稳压控制器的详细中文资料免费下载

M51995A是一级开关稳压控制器,它专门龙8国际下载用来从交流电源获得稳压的直流电压。
发表于 08-27 08:00 109次 阅读
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MP2457高频、降压、开关稳压器的详细数据手册免费下载

MP2457是一种高频、降压、开关稳压器,具有集成高侧和低侧功率MOSFET,专为功率表应用而龙8国际下载。....
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深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET

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详细解析五种PFC的开关管驱动方案

什么是PFC? PFC(Power Factor Correction)-功率因数校正,功率因数,简....
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锂离子电池和聚合物电池的保护芯片B5307A的数据手册免费下载

B5307A系列产品是锂离子/聚合物电池保护的高集成解决方案。XB5307A包含先进的功率MOSFE....
发表于 08-20 08:00 104次 阅读
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MOS管的构造及MOS管种类和结构

实际在MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接,所以在符号的规则中,表示衬底的箭头也必须和源极相....
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汇总DC-DC升压转换器的作用

在便携和可穿戴式设备应用的驱动下,很多龙8国际下载正在朝着 3.6 伏或更低供电电压的方向发展。但是,很多便....
的头像 电子龙8国际下载 发表于 08-08 09:19 1956次 阅读
汇总DC-DC升压转换器的作用

如何选择MOSFET - 热插拔

本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET。对于龙8国际下载师而言,关键的问题是FET可能会经受的最大浪涌电....
的头像 章鹰 发表于 08-06 17:19 1738次 阅读
如何选择MOSFET - 热插拔

功率器件交付周期延长,关税对英飞凌影响加大

017年,英飞凌营收70.63亿欧元(约82亿美元),意法半导体营收83亿美元。二者若合并则将诞生1....
的头像 半导体观察IC 发表于 08-06 15:08 1712次 阅读
功率器件交付周期延长,关税对英飞凌影响加大

电源龙8国际下载趋势逐渐转向GaN晶体管

经过大量实践检验,已被证明安全可靠的硅MOSFET已经成为电源电路龙8国际下载的中流砥柱,但随着基于氮化镓的....
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全球MOSFET供应吃紧,英飞凌发声、中兴加价扫货!

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